氮化镓是国内常说的第三代半导体材料的一种,由氮和镓两种离子组成的一种半导体材料,它具有能量带隙宽、原子键强、热导率高、化学稳定性好(几乎不被任何酸腐蚀)和抗辐照能力强等性质,GaN在高温下依然能够表现出优异的开关性能,这保证了GaN功率器件在不同温度、电流以及开关速度下均能保持极小的开关损耗。本质是将多种电力电子器件整合到一个氮化镓芯片上,能有效提高产品充电速度、能效比、可靠性和降低产品成本。
氮化镓的出现,降低了产品成本。拥有元件数量少,易于调试、可以高频工作实现高转换效率等的优势,搭载氮化镓的充电器可以简化设计,降低氮化镓快充的开发难度,助力实现小体积高效率的氮化镓快充设计。氮化镓内置多种功能,可以大幅度减少产品的设计复杂程度和减少多余器件的使用,在提高空间利用率的同时降低了生产难度,也有助于降低成本,加快出货。
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